MOSFET Infineon IRF5210PBF, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.69mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 78,61
€ 1,572 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,572 | € 78,61 |
| 100 - 200 | € 1,336 | € 66,82 |
| 250+ | € 1,179 | € 58,96 |
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-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
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-55 °C
País de Origen
China
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MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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