MOSFET Infineon IRF1404PBF, VDSS 40 V, ID 202 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 543-1083Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF1404PBFDistrelec Article No.: 30284006
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

202 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

333 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

131 nC a 10 V

Ancho

4.83mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

8.77mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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5€ 6,45
6€ 7,74
7€ 9,03
8€ 10,33
9€ 11,62
10€ 10,56
11€ 11,62
12€ 12,67
13€ 13,73
14€ 14,78
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4 mΩ

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

333 W

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Ancho

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Material del transistor

Si

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Altura

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