MOSFET Infineon IPW60R160C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 76,33
€ 3,817 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
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Empaque de Producción (Tubo)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 20 - 96 | € 3,817 | € 15,27 |
| 100 - 196 | € 3,306 | € 13,22 |
| 200 - 496 | € 3,15 | € 12,60 |
| 500+ | € 2,808 | € 11,23 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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