MOSFET Infineon IPD90N03S4L02ATMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
OptiMOS™ -T2
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.22mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.3mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1.692,49
€ 0,677 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.22mm
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.3mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
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Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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