MOSFET Infineon IPD80R3K3P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 1,9 A, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.3 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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