MOSFET Infineon IPD034N06N3GATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.223mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.413mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 0,676 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.223mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
2.413mm
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Datos del producto
MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V
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Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
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