IGBT, IKW08T120FKSA1, N-Canal, 16 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
16 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
20kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
600pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Energía nominal
2.28mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 12,91
€ 3,227 Each (In a Pack of 4) (Sin IVA)
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4
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 3,227 | € 12,91 |
| 20 - 36 | € 3,065 | € 12,26 |
| 40 - 96 | € 2,937 | € 11,75 |
| 100 - 196 | € 2,743 | € 10,97 |
| 200+ | € 2,581 | € 10,32 |
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Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
20kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
600pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Energía nominal
2.28mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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