IGBT, IKW08T120FKSA1, N-Canal, 16 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
16 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
20kHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
600pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Energía nominal
2.28mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 14,85
$ 3,712 Each (In a Pack of 4) (Sin IVA)
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4
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 4 - 16 | $ 3,712 | $ 14,85 |
| 20 - 36 | $ 3,525 | $ 14,10 |
| 40 - 96 | $ 3,378 | $ 13,51 |
| 100 - 196 | $ 3,156 | $ 12,62 |
| 200+ | $ 2,969 | $ 11,88 |
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Disipación de Potencia Máxima
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
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3
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Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
600pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Energía nominal
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Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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