Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
15 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
217 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
875pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
2.5mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 74,20
€ 3,71 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
€ 74,20
€ 3,71 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
20 - 36 | € 3,71 | € 14,84 |
40 - 96 | € 3,553 | € 14,21 |
100 - 196 | € 3,395 | € 13,58 |
200+ | € 3,161 | € 12,65 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
15 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
217 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
875pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
2.5mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.