IGBT, IGW15N120H3FKSA1, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 110-7153PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IGW15N120H3FKSA1
brand-logo
Ver todo en IGBTs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

15 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

217 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Capacitancia de puerta

875pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

2.5mJ

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 74,20

€ 3,71 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, IGW15N120H3FKSA1, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 74,20

€ 3,71 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, IGW15N120H3FKSA1, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
20 - 36€ 3,71€ 14,84
40 - 96€ 3,553€ 14,21
100 - 196€ 3,395€ 13,58
200+€ 3,161€ 12,65

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

15 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

217 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Capacitancia de puerta

875pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

2.5mJ

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more