Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 17,18
€ 0,859 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,859 | € 17,18 |
100 - 180 | € 0,662 | € 13,24 |
200 - 480 | € 0,636 | € 12,72 |
500 - 980 | € 0,61 | € 12,20 |
1000+ | € 0,533 | € 10,65 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.