MOSFET Infineon BSC035N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 825-9152Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC035N04LSGATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Series

OptiMOS™ 3

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

69 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

6.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

48 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 17,18

€ 0,859 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 80€ 0,859€ 17,18
100 - 180€ 0,662€ 13,24
200 - 480€ 0,636€ 12,72
500 - 980€ 0,61€ 12,20
1000+€ 0,533€ 10,65

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Series

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

69 W

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Single

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Temperatura máxima de funcionamiento

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Profundidad

6.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

48 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

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