MOSFET Infineon BSC009NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 223 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
223 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
SuperSO8 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.25 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+16 V
Profundidad
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 10,68
€ 2,135 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
1V
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