Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor HUF75309P3, VDSS 55 V, ID 19 A, TO-220AB de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.65mm
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.65mm