MOSFET DiodesZetex DMP2008UFG-7, VDSS 20 V, ID 11 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Anchura
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.85mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 76,97
€ 0,192 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
400
€ 76,97
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
400
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 400 - 975 | € 0,192 | € 4,81 |
| 1000+ | € 0,149 | € 3,72 |
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P
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Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Anchura
3.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.85mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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