Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 3,46
€ 0,035 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
€ 3,46
€ 0,035 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 900 | € 0,035 | € 3,46 |
1000 - 2400 | € 0,031 | € 3,12 |
2500 - 4900 | € 0,03 | € 3,00 |
5000 - 9900 | € 0,029 | € 2,88 |
10000+ | € 0,028 | € 2,77 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto