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MOSFET Vishay SUP57N20-33-E3, VDSS 200 V, ID 57 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 708-5014Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SUP57N20-33-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

57 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

33 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

3,75 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

90 nC @ 10 V

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.41mm

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

9.01mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 22,61

$ 4,521 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SUP57N20-33-E3, VDSS 200 V, ID 57 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 22,61
10$ 45,21
15$ 67,82
20$ 90,43
25$ 97,18
30$ 116,61
35$ 136,05
40$ 155,49
45$ 174,92
50$ 167,36
55$ 184,10
60$ 200,84
65$ 217,57
70$ 234,31
75$ 251,04

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35$ 136,05
40$ 155,49
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50$ 167,36
55$ 184,10
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65$ 217,57
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20$ 4,521$ 22,61
25 - 45$ 3,887$ 19,44
50 - 120$ 3,347$ 16,74
125 - 245$ 3,166$ 15,83
250+$ 2,713$ 13,56

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N

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-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

33 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

3,75 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

90 nC @ 10 V

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud

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Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

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