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Vishay 3 N/P-Channel MOSFET, 30 A, 30 A, 20 A, 200 (Channel 3) V, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 10-Pin Triple Die

Código de producto RS: 188-5065PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SQUN702E-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A, 30 A, 20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

200 (Canal 3) V, 40 (Canal 1) V, 40 (Canal 2) V.

Tipo de Encapsulado

Trío

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

10

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0135 (canal 2) Ω, 0,048 (canal 1) Ω, 0,06 (canal 3) Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V

Disipación de Potencia Máxima

48 W, 48 W, 60 W

Configuración de transistor

Drenaje común

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

3

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 100 V (canal 3), 23 nC a 20 V (canal 2), 30,2 nC a 20 V (canal 1)

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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€ 74,80

€ 2,992 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

Vishay 3 N/P-Channel MOSFET, 30 A, 30 A, 20 A, 200 (Channel 3) V, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 10-Pin Triple Die
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 5
25€ 74,80
30€ 89,76
35€ 104,72
40€ 119,68
45€ 134,64
50€ 140,80
55€ 154,88
60€ 168,96
65€ 183,03
70€ 197,11
75€ 211,19
80€ 225,27
85€ 239,35
90€ 253,43
95€ 267,51

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
25 - 45€ 2,992€ 14,96
50 - 120€ 2,816€ 14,08
125 - 245€ 2,645€ 13,22
250+€ 2,464€ 12,32

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

200 (Canal 3) V, 40 (Canal 1) V, 40 (Canal 2) V.

Tipo de Encapsulado

Trío

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

10

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0135 (canal 2) Ω, 0,048 (canal 1) Ω, 0,06 (canal 3) Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V

Disipación de Potencia Máxima

48 W, 48 W, 60 W

Configuración de transistor

Drenaje común

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

3

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 100 V (canal 3), 23 nC a 20 V (canal 2), 30,2 nC a 20 V (canal 1)

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