Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 64,54
€ 6,45 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 64,54
€ 6,45 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 49 | € 6,45 |
50 - 99 | € 5,85 |
100 - 249 | € 5,50 |
250+ | € 5,16 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto