MOSFET Vishay IRFD210PBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.29mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 30,86
€ 0,309 Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
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Si
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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