MOSFET Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
125 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Largo
5.99mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.07mm
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€ 3.298,15
€ 1,099 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V, +6 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
125 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
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5mm
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