MOSFET Toshiba TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Series
TK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
15.5mm
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Altura
20mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK8 y TK9, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 75,94
€ 3,038 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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Modo de Canal
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4V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Longitud
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
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