MOSFET Toshiba TK39N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
270 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
5.02mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.95mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,16
€ 5,16 Each (Sin IVA)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,16 |
| 10 - 49 | € 4,26 |
| 50 - 99 | € 3,88 |
| 100 - 199 | € 3,79 |
| 200+ | € 3,71 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
270 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
5.02mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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