MOSFET Texas Instruments CSD25404Q3T, VDSS 20 V, ID 104 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 2,66
€ 0,532 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
€ 2,66
€ 0,532 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto