MOSFET STMicroelectronics STW40N65M2, VDSS 650 V, ID 32 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,11 |
| 5 - 9 | € 5,81 |
| 10 - 24 | € 5,22 |
| 25 - 49 | € 4,69 |
| 50+ | € 4,45 |
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
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Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
56,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
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