MOSFET STMicroelectronics STW28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 8,15
$ 4,074 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 4,074 | $ 8,15 |
| 10 - 18 | $ 3,867 | $ 7,74 |
| 20 - 48 | $ 3,479 | $ 6,96 |
| 50 - 98 | $ 3,136 | $ 6,27 |
| 100+ | $ 2,975 | $ 5,95 |
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N
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MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Ancho
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Material del transistor
Si
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1
Longitud:
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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