Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43,6 nC a 10 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,68
€ 5,68 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 5,68
€ 5,68 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 5,68 |
10 - 99 | € 4,81 |
100 - 499 | € 3,85 |
500 - 999 | € 3,73 |
1000+ | € 3,66 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43,6 nC a 10 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto