MOSFET STMicroelectronics STP60NF06L, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,57
€ 1,514 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 7,57
€ 1,514 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,514 | € 7,57 |
| 10 - 20 | € 1,284 | € 6,42 |
| 25 - 95 | € 1,246 | € 6,23 |
| 100 - 495 | € 1,014 | € 5,07 |
| 500+ | € 0,849 | € 4,25 |
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N
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60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
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STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
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