MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 64,18
€ 1,284 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 64,18
€ 1,284 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,284 | € 64,18 |
| 100 - 200 | € 1,023 | € 51,16 |
| 250+ | € 0,998 | € 49,92 |
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N
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13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
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MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.75mm
País de Origen
China
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