Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 38,92
€ 0,778 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 38,92
€ 0,778 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,778 | € 38,92 |
100 - 450 | € 0,585 | € 29,24 |
500 - 950 | € 0,497 | € 24,84 |
1000 - 4950 | € 0,398 | € 19,91 |
5000+ | € 0,361 | € 18,06 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto