MOSFET STMicroelectronics STP130N6F7, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET F7
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
9.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 49,68
€ 0,994 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,994 | € 49,68 |
| 100 - 200 | € 0,969 | € 48,43 |
| 250+ | € 0,944 | € 47,18 |
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N
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80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET F7
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
9.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
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