MOSFET STMicroelectronics STD7NK40ZT4, VDSS 400 V, ID 5,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
6.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1.476,71
€ 0,591 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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2500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,591 | € 1.476,71 |
| 5000+ | € 0,536 | € 1.340,03 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
6.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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