MOSFET STMicroelectronics STD26P3LLH6, VDSS 30 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
2.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 0,57 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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Profundidad
6.2mm
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
2.4mm
País de Origen
China
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MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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