MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4, VDSS 100 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET II
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 5 V
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 11,50
€ 2,30 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,30 | € 11,50 |
| 10 - 20 | € 1,95 | € 9,75 |
| 25 - 95 | € 1,882 | € 9,41 |
| 100 - 495 | € 1,502 | € 7,51 |
| 500+ | € 1,375 | € 6,88 |
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Tipo de Encapsulado
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Series
STripFET II
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Ancho
6.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 5 V
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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