MOSFET STMicroelectronics STD20NF20, VDSS 200 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0415PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD20NF20
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

28 nC a 10 V

Profundidad

6.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.6mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 23,27

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MOSFET STMicroelectronics STD20NF20, VDSS 200 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

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Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

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10

Disponible en múltiplos de 5
10€ 23,27
15€ 34,91
20€ 46,54
25€ 58,18
30€ 69,81
35€ 81,45
40€ 93,08
45€ 104,72
50€ 116,35
55€ 127,99
60€ 139,62
65€ 151,26
70€ 162,90
75€ 174,53
80€ 186,17

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

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Single

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-20 V, +20 V

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6.2mm

Material del transistor

Si

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