Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Profundidad
10.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.75mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 32,85
€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 32,85
€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 99 | € 3,29 |
100 - 499 | € 2,94 |
500 - 999 | € 2,59 |
1000+ | € 2,25 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Profundidad
10.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.75mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto