MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerSO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
10
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
73000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
9.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+165 °C
Altura
3.6mm
Ganancia de Potencia Típica
14 dB
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 16,44
€ 16,44 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
1
€ 16,44
€ 16,44 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerSO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
10
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
73000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
9.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+165 °C
Altura
3.6mm
Ganancia de Potencia Típica
14 dB
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products