Transistor Darlington, BDW93C, NPN 12 A, 100 V, HFE:100, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 4,49
€ 0,899 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,899 | € 4,49 |
| 25 - 45 | € 0,845 | € 4,22 |
| 50 - 120 | € 0,803 | € 4,01 |
| 125 - 245 | € 0,753 | € 3,77 |
| 250+ | € 0,718 | € 3,59 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
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