Módulo de potencia SiC ROHM BSM120D12P2C005, VDSS 1.200 V, ID 120 A, C de 4 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
BSM
Tipo de Encapsulado
c
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
935 W
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
45.6mm
Material del transistor
SiC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
122mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Altura
17mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 403,94
€ 403,94 Each (Sin IVA)
1
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 403,94 |
| 5 - 9 | € 393,44 |
| 10 - 24 | € 383,34 |
| 25+ | € 373,65 |
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Tipo de Encapsulado
c
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
935 W
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
45.6mm
Material del transistor
SiC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
122mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Altura
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País de Origen
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