Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
1.65mm
Anchura
0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 42,95
€ 0,086 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
€ 42,95
€ 0,086 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
500
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
500 - 1200 | € 0,086 | € 4,30 |
1250 - 2450 | € 0,081 | € 4,07 |
2500 - 4950 | € 0,074 | € 3,72 |
5000+ | € 0,069 | € 3,44 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
1.65mm
Anchura
0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto