MOSFET onsemi FDMC86139P, VDSS 100 V, ID 4,4 A, Power 33 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
Power 33
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
104 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Longitud
3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.725mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 8,15
€ 1,631 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,631 | € 8,15 |
| 50 - 95 | € 1,406 | € 7,03 |
| 100 - 495 | € 1,218 | € 6,09 |
| 500 - 995 | € 1,072 | € 5,36 |
| 1000+ | € 0,974 | € 4,87 |
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
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Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
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