Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 481,05
€ 0,048 Cada Uno (En una Bolsa de 10000) (Sin IVA)
10000
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TO-92
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
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Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.