Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 17mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
3pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 10,56
$ 0,422 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
25
$ 10,56
$ 0,422 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
25 - 75 | $ 0,422 | $ 10,56 |
100 - 225 | $ 0,364 | $ 9,11 |
250 - 475 | $ 0,316 | $ 7,90 |
500 - 975 | $ 0,278 | $ 6,95 |
1000+ | $ 0,252 | $ 6,31 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 17mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-15V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
3pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.