MOSFET Nexperia PSMN7R0-30YL,115, VDSS 30 V, ID 76 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
76 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
51000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.1mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 424,29
€ 0,283 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Longitud
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Si
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