Transistor, PBSS5520X,135, PNP -5 A -20 V UPAK, 4 pines, 100 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-20 V
Tipo de Encapsulado
UPAK
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 3,38
€ 0,338 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,338 | € 3,38 |
| 100 - 190 | € 0,215 | € 2,15 |
| 200 - 990 | € 0,211 | € 2,11 |
| 1000 - 1990 | € 0,205 | € 2,05 |
| 2000+ | € 0,199 | € 1,99 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
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Tensión Base Máxima del Colector
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
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4
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1
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1.6 x 4.6 x 2.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Transistores PNP de bajo voltaje de saturación
Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
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