Transistor, PBSS4160DPN,115, NPN/PNP 1 A 60 V Dual TSOP, 6 pines, 220 MHz, Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
250
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
220 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3.1 x 1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores dobles NPN/PNP de tensión de saturación baja, Nexperia
Una gama de transistores dobles NPN/PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 4,86
€ 0,243 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 4,86
€ 0,243 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
250
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
220 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3.1 x 1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores dobles NPN/PNP de tensión de saturación baja, Nexperia
Una gama de transistores dobles NPN/PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products