MOSFET Nexperia BSN20BKR, VDSS 60 V, ID 330 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
BSN20BK
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,49 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 84,15
€ 0,14 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
600
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Empaque de Producción (Rollo)
600
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 600 - 1400 | € 0,14 | € 14,02 |
| 1500+ | € 0,121 | € 12,12 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,49 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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