MOSFET Infineon SPP15P10PLHXKSA1, VDSS 100 V, ID 11,3 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 165-6694Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPP15P10PL H
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

128 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.57mm

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

47 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.95mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Te podría interesar
Información de stock no disponible temporalmente.

$ 87,06

$ 1,741 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET Infineon SPP15P10PLHXKSA1, VDSS 100 V, ID 11,3 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

$ 87,06

$ 1,741 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

MOSFET Infineon SPP15P10PLHXKSA1, VDSS 100 V, ID 11,3 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Te podría interesar

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

128 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.57mm

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

47 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.95mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Te podría interesar