MOSFET Infineon SPP15P10PLHXKSA1, VDSS 100 V, ID 11,3 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
128 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.57mm
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.95mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1,533 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
128 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.57mm
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.95mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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