MOSFET Infineon SPP11N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
CoolMOS™ C3
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Ancho
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.36mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,66 |
| 10 - 24 | € 2,53 |
| 25 - 49 | € 2,43 |
| 50 - 99 | € 2,31 |
| 100+ | € 2,16 |
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
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Si
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Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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