Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Silicio
$ 71,82
$ 0,575 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
125
$ 71,82
$ 0,575 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
125
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
125 - 225 | $ 0,575 | $ 14,36 |
250 - 600 | $ 0,55 | $ 13,76 |
625 - 1225 | $ 0,363 | $ 9,08 |
1250+ | $ 0,291 | $ 7,28 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Silicio