MOSFET Infineon IRFH5250DTRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
PQFN 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5mm
Longitud
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
83 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.85mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de montaje
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2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5mm
Longitud
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
83 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.85mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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