MOSFET Infineon IRF9317PBF, VDSS 30 V, ID 16 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

3.99mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

31 nC a 4,5 V, 61 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.98mm

Series

HEXFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.57mm