MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Profundidad
5.21mm
Altura
21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,71 |
| 10 - 24 | € 3,52 |
| 25 - 49 | € 3,38 |
| 50 - 99 | € 3,22 |
| 100+ | € 3,01 |
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Material del transistor
Si
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1
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Profundidad
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Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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